BEHLKE貝克多功能高壓開關

Behlke 產(chǎn)品組C2 - 具有可變導通時間和高di / dt的MOSFET開關
1）HTS 61-40，具有高di / dt的MOSFET開關。可變導通時間從300 ns到無限。6 kVDC，400 A pk。上升時間<10 ns @Ip（大值）

2）HTS 101-20，MOSFET開關具有高di / dt。可變導通時間從300 ns到無限。10 kVDC，200 A pk。上升時間<12 ns @Ip（大值）

3）HTS 311-130-B，溝道FET技術中具有高di / dt的MOSFET開關。可變導通時間300 ns - ∞。31 kVDC，1300 A pk。上升時間<20 ns @Ip（大值）。獨立控制單元。  

Behlke 產(chǎn)品組C3 - MOSFET，可變導通時間，低耦合電容

1）HTS 901-10-LC2，低電容MOSFET開關，采用高壓瞬態(tài)LC2技術。該開關旨在滿足非常苛刻的工業(yè)要求。隔離電壓> 150 kV      （可選高達300 kV）。內(nèi)置控制單元（可更換）。90 kVDC，100 A.導通電阻<40歐姆。開啟上升時間<50 ns。  

2）HTS 901-10-LC2，如上所述，但帶有選件SEP-C（獨立控制單元）和選件DLC（直接液體冷卻）。

3）HTS 1001-20-LC2，高功率MOSFET開關，帶選件TH（管狀外殼）和選件DLC（直接液體冷卻）。100 kVDC，200 A pk。，上升時間<50 ns，大值 功耗30千瓦    

注意：與具有非常有限的dv / dt和di / dt能力的經(jīng)典盤式晶閘管開關不同，快速的Behlke晶閘管開關模塊由大量較小的晶閘管芯片（類型取決于多達1000個單晶閘管）制成，并聯(lián)和串聯(lián)連接，使極限dv / dt和di / dt有效地分裂為單晶閘管的非關鍵值。每個晶閘管都由其高度同步和隔離的柵極驅動器發(fā)射。這使得非常短的柵極布線成為可能，并且避免了經(jīng)典晶閘管開關設計中已知的危險熱點。Behlke晶閘管開關可以安全地以高物理可能的di / dt和dv / dt速率以及盡可能高的峰值電流運行，而不會出現(xiàn)任何可測量的預期壽命下降。Behlke晶閘管開關是真正的柵極控制，不會從高壓負載電路汲取發(fā)射能量。

BEHLKE貝克多功能高壓開關